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NTHS4166N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V, I S = 5.2 A
T J = 25 ° C
0.83
1.0
V
T J = 125 ° C
0.7
Reverse Recovery Time
t RR
16
ns
Charge Time
Discharge Time
t a
t b
V GS = 0 V, I S = 5.2 A,
dI S /dt = 100 A/ m s
7.5
8.5
Reverse Recovery Charge
Q RR
6.0
nC
5. Pulse Test: Pulse Width v 300 m s, Duty Cycle v 2%.
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
3
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